单层BiSbTeSe2热电性能的第一性原理研究 - 张倩; 毕亚军; 李佳 (人工晶体学报, 2023)
O469; 本文利用第一性原理计算并结合玻尔兹曼输运方程,预测了一种热电性能优良的新型Bi2Te3 基材料,即单层BiSbTeSe2.通过系统计算单层BiSbTeSe2的电子能带结构和热电输运性质,发现单层BiSbTeSe2 在 300 K时的塞贝克系数达到最高值(522 μV·K-1),在500 K时功率因子与弛豫时间的比值最大为5.78 W·m-1·K-2·s-1.除此之外,单层BiSbTeSe2还具有较低的晶格热导率和较高的迁移率.在最佳p型掺杂下,单层BiSbTeSe2 在500 K时的热电优值ZT高达3.95.单层BiSbTeSe2的优良性能表明其在300～500 K的中温热电器件领域具有潜在的应用价值,可以为进一步开发高性能Bi2 Te3基热电材料提供设计依据.