铝掺杂对硒化铟晶体结构与性能的影响

O78%TQ133.5+3; 硒化铟(InSe)是一种新型的窄禁带(1.3 eV)层状半导体,具有优异的塑性和电学性能,在新型电子和光电子器件中具有广泛应用前景.采用布里奇曼(Bridgman)法生长了未掺杂和铝掺杂的InSe晶体,通过能谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对制备材料的化学成分和表面形貌进行了表征.本文研究发现,铝掺杂可调节InSe晶体的塑性和光电性能.X射线衍射(XRD)分析表明晶体具有六方结构,结合拉曼光谱表征证实晶体结构为ε-InSe.纳米压痕测量表明,随着铝掺杂量的增加,InSe晶体的硬度和模量降低,材料的塑性提高.霍尔效应测量和光学吸收谱结果表明,铝掺杂可提升载流...

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Published in人工晶体学报 Vol. 53; no. 9; pp. 1528 - 1535
Main Authors 郑权, 刘学超, 王浩, 朱新峰, 潘秀红, 陈锟, 邓伟杰, 汤美波, 徐浩, 吴鸿辉, 金敏
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学,北京 100049%上海电机学院材料学院,上海 201306 15.09.2024
上海大学微电子学院,上海 201800
中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050%中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050%中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050
Subjects
InSe∶Al
力学性能
晶体结构
electrical performance
第一性原理
crystal structure
布里奇曼法
mechanical property
first-principles
电学性能
Bridgman method
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2024.09.006

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Summary:O78%TQ133.5+3; 硒化铟(InSe)是一种新型的窄禁带(1.3 eV)层状半导体,具有优异的塑性和电学性能,在新型电子和光电子器件中具有广泛应用前景.采用布里奇曼(Bridgman)法生长了未掺杂和铝掺杂的InSe晶体,通过能谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对制备材料的化学成分和表面形貌进行了表征.本文研究发现,铝掺杂可调节InSe晶体的塑性和光电性能.X射线衍射(XRD)分析表明晶体具有六方结构,结合拉曼光谱表征证实晶体结构为ε-InSe.纳米压痕测量表明,随着铝掺杂量的增加,InSe晶体的硬度和模量降低,材料的塑性提高.霍尔效应测量和光学吸收谱结果表明,铝掺杂可提升载流子浓度和禁带宽度.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2024.09.006