石墨烯上远程外延Ge纳米柱 - 谢景龙; 袁国文; 廖俊杰; 潘睿; 樊星; 张微微; 袁紫媛; 李晨; 高力波; 芦红 (人工晶体学报, 2022)
O781%TM23; 远程外延能够突破传统外延中晶格匹配、热匹配等限制,近年来得到了广泛的关注.Ⅲ-Ⅴ族和Ⅲ-氮化合物半导体已经成功在石墨烯上远程外延生长,但Ⅳ族半导体的远程外延很少被报道.本文首次借助于分子束外延技术在石墨烯上远程外延制备了半导体Ge纳米柱,研究了其生长特性及剥离转移.结果表明:远程外延生长的Ge纳米柱为[111]c晶向,集中分布在石墨烯的褶皱以及衬底Cu-Ni原子台阶处;随着生长温度的提高,Ge纳米柱的高度和密度逐渐下降,但直径差别不大,约为55～65 nm;此外,自组织生长的Ge纳米棒显示无应变的生长状态;引入少量Sn形成GeSn纳米柱,能够显著提升Ge纳米柱的面密度.同时,生长的Ge纳米柱可实现剥离,有望实现异质集成,应用于先进光电子器件等领域.