0.13μm标准CMOS工艺的高可靠流水线模数转换器

TN453; 针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0.13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器.通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路和版图加固等技术,在减小功耗的同时有效地削弱总剂量辐射效应的影响.测试结果表明:在-55～125℃温度范围内以及150 krad(Si)的总剂量辐照条件下,得到大于64 dB的信噪比、大于73.5 dB的无杂散动态范围和最大0.22 dB的微分非线性....

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Published in国防科技大学学报 Vol. 40; no. 6; pp. 165 - 170
Main Authors 周宗坤, 黄水根, 董业民, 林敏
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院大学,北京 100049%中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 28.12.2018
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050
Subjects
无采样保持电路
总剂量辐射效应
流水线模数转换器
版图加固技术
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ISSN1001-2486
DOI10.11887/j.cn.201806023

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Abstract TN453; 针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0.13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器.通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路和版图加固等技术,在减小功耗的同时有效地削弱总剂量辐射效应的影响.测试结果表明:在-55～125℃温度范围内以及150 krad(Si)的总剂量辐照条件下,得到大于64 dB的信噪比、大于73.5 dB的无杂散动态范围和最大0.22 dB的微分非线性.
AbstractList TN453; 针对航空航天电子系统对高性能模数转换器的需求,采用0.13μm标准互补金属氧化物半导体工艺,设计可以在极端温度和空间辐射环境中稳定可靠工作的12位分辨率、50 MS/s采样率的流水线模数转换器.通过采用无采样保持电路以及抗辐射电路和版图加固等技术,在减小功耗的同时有效地削弱总剂量辐射效应的影响.测试结果表明:在-55～125℃温度范围内以及150 krad(Si)的总剂量辐照条件下,得到大于64 dB的信噪比、大于73.5 dB的无杂散动态范围和最大0.22 dB的微分非线性.
Author 董业民
黄水根
林敏
周宗坤
AuthorAffiliation 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院大学,北京 100049%中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
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