Ce:LuAG闪烁晶体的生长研究

O77; Ce:LuAG晶体是一种性能优良的闪烁材料,但采用提拉法生长Ce:LuAG时,经常出现开裂和包裹物缺陷.本文通过理论与实践相结合的方式分析了温度梯度、提拉速度、晶体旋转速度和热应变等因素对晶体产生缺陷的影响,并提出了解决办法,给出了适合生长优质Ce:LuAG晶体的工艺参数:熔体上方温度梯度在5℃/mm左右,放肩角度在30°～60°,提拉速度1.0～1.5 mm/h,晶体旋转速度15～25 r/min.最后成功生长出直径30 mm、等径长50 mm质量较为完好的Ce:LuAG单晶,晶体内核心面积小....

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Published in人工晶体学报 Vol. 51; no. 12; pp. 2003 - 2030
Main Authors 张雅丽, 权纪亮, 刘纪岸, 刘军, 黄晋强
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 广州半导体材料研究所,广州 510610 01.12.2022
Subjects
闪烁晶体
生长
开裂
Ce:LuAG
提拉法
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ISSN1000-985X
DOI10.3969/j.issn.1000-985X.2022.12.002

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Summary:O77; Ce:LuAG晶体是一种性能优良的闪烁材料,但采用提拉法生长Ce:LuAG时,经常出现开裂和包裹物缺陷.本文通过理论与实践相结合的方式分析了温度梯度、提拉速度、晶体旋转速度和热应变等因素对晶体产生缺陷的影响,并提出了解决办法,给出了适合生长优质Ce:LuAG晶体的工艺参数:熔体上方温度梯度在5℃/mm左右,放肩角度在30°～60°,提拉速度1.0～1.5 mm/h,晶体旋转速度15～25 r/min.最后成功生长出直径30 mm、等径长50 mm质量较为完好的Ce:LuAG单晶,晶体内核心面积小.
ISSN:1000-985X
DOI:10.3969/j.issn.1000-985X.2022.12.002