CuInS2量子点敏化ZnO基光阳极的制备与性能研究 - 夏冬林; 郭锦华 (人工晶体学报, 2020)
O47%TM914.4; 采用两步法在导电玻璃(FTO)基板上制备纯氧化锌(ZnO)纳米棒和钇掺杂的氧化锌(ZnO:Y)纳米棒,采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在所制备的ZnO及ZnO:Y纳米棒上沉积CuInS2量子点制备ZnO/CuInS2和ZnO:Y/CuInS2光阳极.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针能谱仪(EDS)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、电流密度-电压(J-V)曲线等技术手段对不同光阳极样品的晶相结构、微观形貌、化学组成、光吸收性能和太阳电池性能进行了表征.实验结果表明:所制备的ZnO纳米棒和ZnO:Y纳米棒为六方纤锌矿结构.CuInS2量子点敏化的ZnO纳米棒薄膜的光学带隙从3.22 eV减小为2.98 eV.CuInS2量子点敏化ZnO:Y太阳能电池的短路电流密度和光电转换效率比未掺杂的ZnO纳米棒组装的太阳能电池分别提高了6.5％和50.4％.