CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证

TL67; 水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现.为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中子学设计中的可靠性,基于研制出的WCCB包层模块,在DT中子环境下开展中子学实验,对以产氚率(TPR)为代表的中子学参数进行了模拟值(C)和实验值(E)对比分析.结果表明,模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97～1.08,而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65～0.82;模块钛酸锂层边缘区197 Au(n,γ)198 Au反应率...

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Published in原子能科学技术 Vol. 56; no. 1; pp. 127 - 135
Main Authors 祝庆军, 陈舞辉, 鲍杰, 赵子甲, 杜华, 黄凯, 刘松林
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国科学院 等离子体物理研究所,安徽 合肥 230031%中国原子能科学研究院 核物理研究所,北京 102413%国防科学技术大学 文理学院,湖南 长沙 410073 20.01.2022
Subjects
CFETR;水冷陶瓷增殖剂包层;中子学实验;产氚率
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ISSN1000-6931
DOI10.7538/yzk.2020.youxian.0723

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Summary:TL67; 水冷陶瓷增殖剂(WCCB)包层作为中国聚变工程试验堆(CFETR)候选包层之一,承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能,其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现.为验证中子学设计工具,即MCNP和FNEDL3.0数据库,在WCCB包层中子学设计中的可靠性,基于研制出的WCCB包层模块,在DT中子环境下开展中子学实验,对以产氚率(TPR)为代表的中子学参数进行了模拟值(C)和实验值(E)对比分析.结果表明,模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97～1.08,而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65～0.82;模块钛酸锂层边缘区197 Au(n,γ)198 Au反应率的C/E为0.72～0.90,表明模块边缘区存在非期望的散射中子,导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大.
ISSN:1000-6931
DOI:10.7538/yzk.2020.youxian.0723