基于平面肖特基二极管的75～110 GHz宽带三倍频器芯片

TN315.3; 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片.采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10～280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型.采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计.在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm....

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 43; no. 6; pp. 768 - 774
Main Authors 陈艳, 孟范忠, 薛昊东, 张傲, 高建军
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中国电子科技集团公司 第十三研究所,河北 石家庄 050051%南通大学 微电子学院(集成电路学院),江苏 南通 226019%华东师范大学 物理与电子科学学院,上海 200241 01.12.2024
Subjects
frequency multiplier design
反向并联二极管对
倍频器设计
planar Schottky diode
平面肖特基二极管
reverse parallel diode pair
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ISSN1001-9014
DOI10.11972/j.issn.1001-9014.2024.06.007

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Summary:TN315.3; 基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片.采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10～280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型.采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计.在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm.
ISSN:1001-9014
DOI:10.11972/j.issn.1001-9014.2024.06.007