电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT - 封瑞泽; 曹书睿; 冯识谕; 周福贵; 刘同; 苏永波; 金智 (红外与毫米波学报, 2024)
TN385; 本文设计并制作了fT>400 GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT).采用窄栅槽技术优化了寄生电阻.器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50 μm.最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1 265 mS/mm.即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz.该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中.