基于70 nm InP HEMT工艺的230～250 GHz低噪声放大器设计

• Published in: 红外与毫米波学报 Vol. 42; no. 1; pp. 37 - 42
• Main Authors: 刘星, 孟范忠, 陈艳, 张傲, 高建军
• Format: Journal Article
• Language: Chinese
• Published: 中国电子科技集团公司 第十三研究所,河北 石家庄 050051%南通大学 交通与土木工程学院,江苏 南通 226019%华东师范大学 物理与电子科学学院,上海 200241 01.02.2023
• Subjects: 低噪声放大器(LNA); 太赫兹集成电路(TMIC); 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)
• ISSN: 1001-9014
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2023.01.006

O43; 基于70 nm InP HEMT工艺,设计了一款五级共源放大级联结构230～250 GHz低噪声太赫兹单片集成电路(TMIC).该放大器采用扇形线和微带线构成栅极和源极直流偏置网络,用以隔离射频信号和直流偏置信号;基于噪声匹配技术设计了放大器的第一级和第二级,基于功率匹配技术设计了中间两级,最后一级重点完成输出匹配.在片测试结果表明,230～250 GHz频率范围内,低噪声放大器的小信号增益大于20 dB.采用Y因子法对封装后的低噪声放大器模块完成了噪声测试,频率为243～248 GHz时该MMIC放大器噪声系数优于7.5 dB,与HBT和CMOS工艺相比,基于HEMT工艺的低噪声放大器具有3 dB以上的噪声系数优势.