基于70 nm InP HEMT工艺的230～250 GHz低噪声放大器设计 - 刘星; 孟范忠; 陈艳; 张傲; 高建军 (红外与毫米波学报, 2023)
O43; 基于70 nm InP HEMT工艺,设计了一款五级共源放大级联结构230～250 GHz低噪声太赫兹单片集成电路(TMIC).该放大器采用扇形线和微带线构成栅极和源极直流偏置网络,用以隔离射频信号和直流偏置信号;基于噪声匹配技术设计了放大器的第一级和第二级,基于功率匹配技术设计了中间两级,最后一级重点完成输出匹配.在片测试结果表明,230～250 GHz频率范围内,低噪声放大器的小信号增益大于20 dB.采用Y因子法对封装后的低噪声放大器模块完成了噪声测试,频率为243～248 GHz时该MMIC放大器噪声系数优于7.5 dB,与HBT和CMOS工艺相比,基于HEMT工艺的低噪声放大器具有3 dB以上的噪声系数优势.