基于边缘优化设计的低损耗Si3N4光功率分束器 - 黄谦睿; 梁耿钦; 陈宇泰; 孙怡雯; 闫培光; 屈军乐 (深圳大学学报（理工版）, 2024)
O59%O439; 随着信息技术的发展,市场对于更小型化、更高效光器件的需求不断增加.采用互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,成功制备了 Si3N4光功率分束器并对其进行测试.结果表明,在1 550nm波长下,边缘优化的1x8功率分束器的总损耗仅为1.30 dB,且其体积相较于传统设计可减小30％.本研究应用逆向优化算法,突破了传统设计仅能针对规则图形设计的限制,为实现小尺寸、低损耗的光功率分束器提供了一种可行途径.