侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试 - 康亚茹; 董慧; 刘晶; 黄镇; 李兆峰; 颜伟; 王晓东 (红外与毫米波学报, 2024)
TN386; 针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型.运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1 400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器.通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型.上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持.