室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管 - 祁雨菲; 王文娟; 孙京华; 武文; 梁焰; 曲会丹; 周敏; 陆卫 (红外与毫米波学报, 2024)
TN312+.7; 描述了一种高性能平面InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD),该二极管具有单独的吸收、分级、电荷和倍增(SAGCM)异质结构.通过电场调节和缺陷控制,SPAD在293 K的门控模式下工作,光子探测效率(PDE)为70%,暗计数率(DCR)为14.93 kHz,后脉冲概率(APP)为0.89%.此外,在死区时间为200 ns的主动淬灭模式下工作时,室温下实现了12.49%的PDE和72.29 kHz的DCR.