二维h-BN材料p型可掺杂性研究

O474; 掺杂对提高半导体材料的载流子浓度,改善半导体器件性能具有关键意义.理论上,通过计算带电缺陷形成能和电荷转移能级可以预测半导体材料中的p型掺杂是否容易实现.本文基于广义梯度近似理论,利用第一性原理方法,结合二维带电缺陷校正技术,并使用维也纳第一性原理计算软件(VASP)系统计算了二维六方氮化硼(h-BN)中的几种掺杂体系,包括XB体系(X=Be,Mg,Ca,Sr)和YN体系(Y=C,Si,Ge)共7种潜在的p型掺杂体系的缺陷性质.计算结果表明,SiN缺陷的受主离子化能为0.8 eV,表现为准浅能级受主,而其它6种缺陷均为深能级受主,无法为h-BN提供有效p型载流子.SiN具有较高的缺...

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Published in功能材料 Vol. 51; no. 10; pp. 10161 - 10167
Main Authors 肖文君, 刘天运, 刘雪飞, 罗子江
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳 550001%贵州财经大学 信息学院,贵阳 550025 30.10.2020
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ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2020.10.025

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Abstract O474; 掺杂对提高半导体材料的载流子浓度,改善半导体器件性能具有关键意义.理论上,通过计算带电缺陷形成能和电荷转移能级可以预测半导体材料中的p型掺杂是否容易实现.本文基于广义梯度近似理论,利用第一性原理方法,结合二维带电缺陷校正技术,并使用维也纳第一性原理计算软件(VASP)系统计算了二维六方氮化硼(h-BN)中的几种掺杂体系,包括XB体系(X=Be,Mg,Ca,Sr)和YN体系(Y=C,Si,Ge)共7种潜在的p型掺杂体系的缺陷性质.计算结果表明,SiN缺陷的受主离子化能为0.8 eV,表现为准浅能级受主,而其它6种缺陷均为深能级受主,无法为h-BN提供有效p型载流子.SiN具有较高的缺陷形成能,因而只能靠离子注入等非平衡方式掺入到h-BN中.
AbstractList O474; 掺杂对提高半导体材料的载流子浓度,改善半导体器件性能具有关键意义.理论上,通过计算带电缺陷形成能和电荷转移能级可以预测半导体材料中的p型掺杂是否容易实现.本文基于广义梯度近似理论,利用第一性原理方法,结合二维带电缺陷校正技术,并使用维也纳第一性原理计算软件(VASP)系统计算了二维六方氮化硼(h-BN)中的几种掺杂体系,包括XB体系(X=Be,Mg,Ca,Sr)和YN体系(Y=C,Si,Ge)共7种潜在的p型掺杂体系的缺陷性质.计算结果表明,SiN缺陷的受主离子化能为0.8 eV,表现为准浅能级受主,而其它6种缺陷均为深能级受主,无法为h-BN提供有效p型载流子.SiN具有较高的缺陷形成能,因而只能靠离子注入等非平衡方式掺入到h-BN中.
Author 刘天运
刘雪飞
肖文君
罗子江
AuthorAffiliation 贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳 550001%贵州财经大学 信息学院,贵阳 550025
AuthorAffiliation_xml – name: 贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳 550001%贵州财经大学 信息学院,贵阳 550025
Author_FL XIAO Wenj un
LUO Zij iang
LIU Xuefei
LIU Tianyun
Author_FL_xml – sequence: 1
  fullname: XIAO Wenj un
– sequence: 2
  fullname: LIU Tianyun
– sequence: 3
  fullname: LIU Xuefei
– sequence: 4
  fullname: LUO Zij iang
Author_xml – sequence: 1
  fullname: 肖文君
– sequence: 2
  fullname: 刘天运
– sequence: 3
  fullname: 刘雪飞
– sequence: 4
  fullname: 罗子江
BookMark eNo9j7tKA0EYhaeIYEzyFmo34_z_7NxKDd4gmCZ9mB12Y0KYiIPYiq2iFiJYROzEykYs4uuY2ddwRbE6nFN8H2eNNMIsFISsA2fCKrs1YeMYAwPOgVotgCFHXlfGUTZI839fJZ0YxzlHAUqD4k2y-bW4rj7fj-nOUZrfpYfHk-XT1fL2Ld0s0vwyXbxUz_fV60ebrJRuGovOX7bIYG930D2gvf7-YXe7R2PtkFRp4QuRKWkAjIcMnc8zbUrhvcCiyKzPcgBhDbocjTYWQXkrnUdwGrRokY1f7LkLpQuj4WR2dhpq4XAU_PTnVK1BKb4BxE1PXw
ClassificationCodes O474
ContentType Journal Article
Copyright Copyright © Wanfang Data Co. Ltd. All Rights Reserved.
Copyright_xml – notice: Copyright © Wanfang Data Co. Ltd. All Rights Reserved.
DBID 2B.
4A8
92I
93N
PSX
TCJ
DOI 10.3969/j.issn.1001-9731.2020.10.025
DatabaseName Wanfang Data Journals - Hong Kong
WANFANG Data Centre
Wanfang Data Journals
万方数据期刊 - 香港版
China Online Journals (COJ)
China Online Journals (COJ)
DatabaseTitleList
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
DocumentTitle_FL Study on p-typedopability of two-dimensional h-BN materials
EndPage 10167
ExternalDocumentID gncl202010025
GrantInformation_xml – fundername: (国家自然科学基金资助项目); (贵州省科学技术基金资助项目)
  funderid: (国家自然科学基金资助项目); (贵州省科学技术基金资助项目)
GroupedDBID 2B.
4A8
92I
93N
ALMA_UNASSIGNED_HOLDINGS
CDYEO
PSX
TCJ
ID FETCH-LOGICAL-s1005-673ce34658118c142acb478f3cc32ee49c4b113982ab28789216c95ac21a7173
ISSN 1001-9731
IngestDate Thu May 29 04:29:32 EDT 2025
IsPeerReviewed false
IsScholarly true
Issue 10
Keywords 缺陷形成能
密度泛函理论
第一性原理
带电缺陷计算
电荷转移能级
p型掺杂
二维h-BN
Language Chinese
LinkModel OpenURL
MergedId FETCHMERGED-LOGICAL-s1005-673ce34658118c142acb478f3cc32ee49c4b113982ab28789216c95ac21a7173
PageCount 7
ParticipantIDs wanfang_journals_gncl202010025
PublicationCentury 2000
PublicationDate 2020-10-30
PublicationDateYYYYMMDD 2020-10-30
PublicationDate_xml – month: 10
  year: 2020
  text: 2020-10-30
  day: 30
PublicationDecade 2020
PublicationTitle 功能材料
PublicationTitle_FL Journal of Functional Materials
PublicationYear 2020
Publisher 贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳 550001%贵州财经大学 信息学院,贵阳 550025
Publisher_xml – name: 贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳 550001%贵州财经大学 信息学院,贵阳 550025
SSID ssib023167160
ssib036434533
ssib006564369
ssib001104864
ssib000269662
ssib042188035
ssib051370209
Score 2.288938
Snippet O474; 掺杂对提高半导体材料的载流子浓度,改善半导体器件性能具有关键意义.理论上,通过计算带电缺陷形成能和电荷转移能级可以预测半导体材料中的p型掺杂是否容易实现.本文...
SourceID wanfang
SourceType Aggregation Database
StartPage 10161
Title 二维h-BN材料p型可掺杂性研究
URI https://d.wanfangdata.com.cn/periodical/gncl202010025
Volume 51
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
journalDatabaseRights – providerCode: PRVEBS
  databaseName: EBSCOhost Academic Search Ultimate
  issn: 1001-9731
  databaseCode: ABDBF
  dateStart: 20180101
  customDbUrl: https://search.ebscohost.com/login.aspx?authtype=ip,shib&custid=s3936755&profile=ehost&defaultdb=asn
  isFulltext: true
  dateEnd: 99991231
  titleUrlDefault: https://search.ebscohost.com/direct.asp?db=asn
  omitProxy: true
  ssIdentifier: ssib042188035
  providerName: EBSCOhost
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwnV1LbxMxELb6kBAXBALEs-qh5lJtWD_Wj6PdblQh0VOQeqt23U17QKGi6aUnxBUEHBAShyJuiBMXxKH8DP4CTf4GM84m2YoIClK0mnjtefhbZzwbe0zISsZtV0qxkxRZxhMJc_DE7lQi0TxwWaSqzOL2sYebauORfLCVbc3N_2isWjrsl61wNHNfyf-gCmWAK-6S_QdkJ0yhAGjAF66AMFzPhTHNJfWOmjWaa-o99XIv8Zs0V9SuU5tGAj52n-YZtTk1HgnTpq6N90yOrUe1DY8lKXUambmUWhkJS71qzmAjB0ctcDDUCOrXf5c3RjFW4Vg2umN0VAR4-2kVYGeoNUg4ifKgkW9Tm86oYqEldQ4JJ8CiaRWNitjI34118QzUbL7WgBgW_UE6eRCjLOjDDNt5jX2EhEF5qPsaWlgrNubt1CqKMzbqqlGWUREJgz2KJWOOtSYaG1s2ad8gwCDgw-FBb6hi0VYvVjM8RgI8TTZLzVgCLUfIA6az1JTYk45FaFlE_fySRzvFa4eFS-Lw-LGmR6tT-NYjN234J3xXwxqTHfyuZ3lSYZWNnhSltCZSWghVC5dD1kqczVW-2wuPsQbm9c3mySLXSvEFsuj8um83_txWEGQ3tmszzPs4dQsQYkihJrNsjska2DSKF3BXNqIUyTGn4HTWnzGh09HironeF8hKbdT9P5kUd-71ukVvtzHJ7Fwml-rocNmNhvoVMne0d5Xc-3nycvj9Kw7twfGbwbv3-6cfXpy-_jJ4dTI4fj549mn48e3w87drpNPOO2sbSX28SXLAMP-v0iJUQkIIAEF-YJIXoZTadEUIgleVtEGWDAI0w4uSG20sZyrYrAicFbh25jpZ6D3pVTfI8k5ZdHnFdRa6VqaFKYIJXKdGMl2pUoibZKk2a7v-9TrYPgPVrb9VuE0uTgfpHbLQf3pY3YXZeL9cqtH9BbR3koM
linkProvider EBSCOhost
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rft.genre=article&rft.atitle=%E4%BA%8C%E7%BB%B4h-BN%E6%9D%90%E6%96%99p%E5%9E%8B%E5%8F%AF%E6%8E%BA%E6%9D%82%E6%80%A7%E7%A0%94%E7%A9%B6&rft.jtitle=%E5%8A%9F%E8%83%BD%E6%9D%90%E6%96%99&rft.au=%E8%82%96%E6%96%87%E5%90%9B&rft.au=%E5%88%98%E5%A4%A9%E8%BF%90&rft.au=%E5%88%98%E9%9B%AA%E9%A3%9E&rft.au=%E7%BD%97%E5%AD%90%E6%B1%9F&rft.date=2020-10-30&rft.pub=%E8%B4%B5%E5%B7%9E%E5%B8%88%E8%8C%83%E5%A4%A7%E5%AD%A6+%E7%89%A9%E7%90%86%E4%B8%8E%E7%94%B5%E5%AD%90%E7%A7%91%E5%AD%A6%E5%AD%A6%E9%99%A2%2C%E8%B4%B5%E9%98%B3+550001%25%E8%B4%B5%E5%B7%9E%E8%B4%A2%E7%BB%8F%E5%A4%A7%E5%AD%A6+%E4%BF%A1%E6%81%AF%E5%AD%A6%E9%99%A2%2C%E8%B4%B5%E9%98%B3+550025&rft.issn=1001-9731&rft.volume=51&rft.issue=10&rft.spage=10161&rft.epage=10167&rft_id=info:doi/10.3969%2Fj.issn.1001-9731.2020.10.025&rft.externalDocID=gncl202010025
thumbnail_s http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/image/custom?url=http%3A%2F%2Fwww.wanfangdata.com.cn%2Fimages%2FPeriodicalImages%2Fgncl%2Fgncl.jpg