不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究

TO3%TO47; 对InxGa1-xAs 在x 从0~1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当 In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合.体系弛豫后,Ga—As 键长变小程度会随 In 组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In—As—In键角会变小,当In组分超过0.625时,其变小程度非常微弱;Ga—As—Ga键角和Ga—As—In键角有不同程度地变大,且 Ga—As—In 键角的变化幅度在 In 组分为0.5时最严重;体系分波态密度的计算结果表明,In掺杂会严重影响GaAs材料的物理性质....

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Published in功能材料 Vol. 49; no. 5; pp. 5145 - 5150
Main Authors 刘雪飞, 罗子江, 周勋, 王继红, 魏杰敏, 王一, 郭祥, 郎啟智, 刘万松, 丁召
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳550025%贵州财经大学 信息学院,贵阳,550025%贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳,550025%贵州大学 大数据与信息工程学院,贵阳,550025%贵州大学 大数据与信息工程学院,贵阳550025 30.05.2018
贵州大学 大数据与信息工程学院,贵阳550025
贵州理工学院,贵阳550002
Subjects
电子结构
键角
relaxation
electronic structure
bond angle
密度泛函
弛豫
density functional
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ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.025

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Summary:TO3%TO47; 对InxGa1-xAs 在x 从0~1变化时的晶格常数、原子弛豫情况、分波态密度进行计算,结果表明当 In组分增大时,晶格常数增大规律与Vegard定理吻合.体系弛豫后,Ga—As 键长变小程度会随 In 组分增多而变大,In—As键长变小程度基本不随In组分变化;In—As—In键角会变小,当In组分超过0.625时,其变小程度非常微弱;Ga—As—Ga键角和Ga—As—In键角有不同程度地变大,且 Ga—As—In 键角的变化幅度在 In 组分为0.5时最严重;体系分波态密度的计算结果表明,In掺杂会严重影响GaAs材料的物理性质.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2018.05.025