纳米铜尺寸对于P(VDF-HFP)基复合材料介电性能及逾渗阈值的影响

TQ325.4; 用液相还原法和水热法制备出零维和具有不同长径比的一维纳米铜.通过将其作为导电填料与聚合物P(VDF-HFP)进行溶液共混来研究填料尺寸对其聚合物基纳米复合电介质材料的介电性能及逾渗阈值的影响.利用SEM、TEM、XRD、XPS对零维及一维纳米铜的形貌、结构和化学成分进行了表征;利用SEM和阻抗分析仪分别对复合材料的结构和介电性能进行了表征,纳米铜填料在聚合物基体中分散均匀,且介电常数规律符合逾渗理论.通过线性拟合得出零维纳米铜及长径比分别为100,800的一维纳米铜的逾渗阈值分别为10.9％,6.8％,2.9％(体积分数).与零维纳米铜和低长径比一维纳米铜相比,高长径比一维纳...

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Published in功能材料 Vol. 50; no. 12; pp. 12020 - 12034
Main Authors 刘昱航, 李衡峰, 杨科
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 中南大学 材料科学与工程学院,长沙,410083 30.12.2019
Subjects
聚合物基复合材料
逾渗阈值
铜纳米线
介电性能
铜纳米粒子
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ISSN1001-9731
DOI10.3969/j.issn.1001-9731.2019.12.004

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Summary:TQ325.4; 用液相还原法和水热法制备出零维和具有不同长径比的一维纳米铜.通过将其作为导电填料与聚合物P(VDF-HFP)进行溶液共混来研究填料尺寸对其聚合物基纳米复合电介质材料的介电性能及逾渗阈值的影响.利用SEM、TEM、XRD、XPS对零维及一维纳米铜的形貌、结构和化学成分进行了表征;利用SEM和阻抗分析仪分别对复合材料的结构和介电性能进行了表征,纳米铜填料在聚合物基体中分散均匀,且介电常数规律符合逾渗理论.通过线性拟合得出零维纳米铜及长径比分别为100,800的一维纳米铜的逾渗阈值分别为10.9％,6.8％,2.9％(体积分数).与零维纳米铜和低长径比一维纳米铜相比,高长径比一维纳米铜更容易在聚合物基体中形成导电网络,从而有效地降低其复合材料的逾渗阈值,使其在较低的填充量下获得高介电常数.
ISSN:1001-9731
DOI:10.3969/j.issn.1001-9731.2019.12.004