InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性 - 丁国庆 (Guangtongxin Yanjiu, 1990)
本文论述了暗电流I和光倍增因子Mp与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与Mp-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10～30倍;而由20℃升至60℃时,光倍增因字Mp将减小1/3左右。文中还建议以严格的高低温循环来淘汰可能早期失效的SAGM-APD管芯。