利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性 - 刘秀娟 张燕 李向阳 (红外与毫米波学报, 2015)
使用感应耦合等离子体化学气相沉积（Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD）方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现,随着RF功率增大,薄膜应力增大,表面粗糙度减小,薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数,制作了SiOx/nGaN金属-绝缘体-半导体（metal-insulator-semiconductor,MIS）器件,结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10^-7A/cm^2,SiOx/n-GaN界面态密度为2.4×10^10eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN界面态密度低,薄膜绝缘性能良好.