有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光

自行设计了基于8-羟基喹啉铒（ErQ）为发射层（EMLs）和二硝酰胺铵（ADN）为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为（p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen∶ Cs2CO3/Sm/Au）,设计并比较了三套不同发射层结构（ErQ/ADN为双层结构器件,（ErQ/ADN）×3为多层结构器件,ErQ∶ ADN为掺杂结构器件）的器件.三组器件在一定的偏压下,均可发出1.54 μm的光,对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中,ADN∶ErQ（1∶1）掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN/ErQ双层结构中的三倍.此外,不同掺杂浓度的ADN：ErQ复合膜做了以下表征...

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Published in红外与毫米波学报 Vol. 33; no. 1; pp. 31 - 35
Main Author 屈海京 陶利 王维 冉广照
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 2014
Subjects
8-hydroxyquinoline
8-羟基喹啉铒
erbium
tris
有机发光二级管
近红外发光
8-羟基喹啉铒
organic light-emitting device
erbium tris (8-hydroxyquinoline)
near-infrared
近红外发光
有机发光二级管
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ISSN1001-9014
DOI10.3724/SP.J.1010.2014.00031

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Summary:自行设计了基于8-羟基喹啉铒（ErQ）为发射层（EMLs）和二硝酰胺铵（ADN）为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为（p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen∶ Cs2CO3/Sm/Au）,设计并比较了三套不同发射层结构（ErQ/ADN为双层结构器件,（ErQ/ADN）×3为多层结构器件,ErQ∶ ADN为掺杂结构器件）的器件.三组器件在一定的偏压下,均可发出1.54 μm的光,对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中,ADN∶ErQ（1∶1）掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN/ErQ双层结构中的三倍.此外,不同掺杂浓度的ADN：ErQ复合膜做了以下表征：吸收谱、光致发光谱和荧光寿命谱.实验结果证实了在近红外电致发光过程中存在从ADN主体分子到ErQ发射分子的高效率的能量转移.
Bibliography:QU Hai-Jing, TAO Li, WANG Wei, RAN Guang-Zhao （State Key Laboratory for Mesoscopic Physics and School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China）
31-1577/TN
A near-infrared （NIR） organic light-emitting devices （OLEDs） was demonstrated with emissive layers （EMLs） based on erbium （111） tris （8-hydroxyquinoline） （ErQ） and the blue host material of 9,10-di-beta-naphthylanthraeene （ADN）. The fundamental structure of the devices is （p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen： Cs2COs/Sm/Au）, where three sets of EMLs （ErQ/ADN bilayer, （ErQ/ADN） ×3 mnhilayer, and ErQ： ADN doped layer） have been compared. In all the three structures, 1.54 μm eleetroluminescence was observed due to the 4113/2 -4I15/2 transitions of Er3＋. Compared with the ADN/ErQ bilayer structure, the NIR eleetrol （EL） intensity is stronger by three times in the ADN： ErQ（ 1：1 ） doped structure. The ADN： ErQ composite films with different doping levels were further characterized by the measurements of absorption, photol and photoluminescence decay time. The resul
ISSN:1001-9014
DOI:10.3724/SP.J.1010.2014.00031