纳米铜修饰玻碳电极的制备及其对葡萄糖的催化氧化

在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵（CTMAB）的分散作用下，通过恒电位还原CuSO4在玻碳电极上沉积Cu，得到纳米Cu修饰玻碳电极（nano-Cu-GCE），该修饰电极对葡萄糖（Glu）的氧化具有明显的催化作用，利用该催化作用对Glu进行检测，通过研究沉积电位、沉积时间以及检测电位对电流信号的影响，优化了电极的制备条件和Glu的检测条件。沉积电位为-100mV，沉积时间8min。在检测电位400mV下，Glu在1．0×10^-6～3．9×10^-4 mol／L范围内Glu电流与空白溶液电流值之差与其浓度呈线性关系，检出限为2．6×10^-7mol／L（S／N=3），线性回归方程△i（μA）=-...

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Published inFēnxī huàxué Vol. 36; no. 6; pp. 839 - 842
Main Author 丁海云 周晔 张树静 尹学博 李一峻 何锡文
Format Journal Article
LanguageChinese
Published 南开大学化学院,天津,300071%天津医科大学药学院,天津,300070 2008
Subjects
催化氧化
化学修饰电极
十六烷基三甲基溴化铵
纳米铜
葡萄糖
催化氧化
葡萄糖
化学修饰电极
十六烷基三甲基溴化铵
纳米铜
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ISSN0253-3820
DOI10.3321/j.issn:0253-3820.2008.06.026

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Summary:在表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵（CTMAB）的分散作用下，通过恒电位还原CuSO4在玻碳电极上沉积Cu，得到纳米Cu修饰玻碳电极（nano-Cu-GCE），该修饰电极对葡萄糖（Glu）的氧化具有明显的催化作用，利用该催化作用对Glu进行检测，通过研究沉积电位、沉积时间以及检测电位对电流信号的影响，优化了电极的制备条件和Glu的检测条件。沉积电位为-100mV，沉积时间8min。在检测电位400mV下，Glu在1．0×10^-6～3．9×10^-4 mol／L范围内Glu电流与空白溶液电流值之差与其浓度呈线性关系，检出限为2．6×10^-7mol／L（S／N=3），线性回归方程△i（μA）=-1．02—125674．54C（mol／L），r=0．9981。抗坏血酸（AA）、对乙酰氨基酚（AP）和L-半胱氨酸（Cys）对Glu信号几乎无干扰。
Bibliography:22-1125/O6
Q552
O643.36
Nano-copper, chemically modified electrode, cetyltrimethylammonium bromide, glucose, catalytic oxidation
ISSN:0253-3820
DOI:10.3321/j.issn:0253-3820.2008.06.026