魏世龙, 胡. 张. 曾. 赖. 杨. (2016). CsI（Tl）晶体的APD前端读出特性研究. 核技术, 39(10), 41-45. https://doi.org/10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.100401
Chicago Style (17th ed.) Citation魏世龙, 胡浪 张开琪 曾国强 赖茂林 杨剑. "CsI（Tl）晶体的APD前端读出特性研究." 核技术 39, no. 10 (2016): 41-45. https://doi.org/10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.100401.
MLA (9th ed.) Citation魏世龙, 胡浪 张开琪 曾国强 赖茂林 杨剑. "CsI（Tl）晶体的APD前端读出特性研究." 核技术, vol. 39, no. 10, 2016, pp. 41-45, https://doi.org/10.11889/j.0253-3219.2016.hjs.39.100401.
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