X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究 - 吴正新 何承发 陆妩 郭旗 艾尔肯阿不列木 于新 张磊 邓伟 郑齐文 (核技术, 2013)
本文以光子与物质的相互作用机制为基础，论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布，通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型，计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明：当X射线为30-300keV时，界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果，当金的厚度为0-10μm时，剂量增强因子随金的厚度增大；当金的厚度超过10μm后，剂量增强因子随金厚度的增加而减少。