Early effect modeling of silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors - 徐小波 张鹤鸣 胡辉勇 马建立 (Chinese physics B, 2011)
Keywords: BiCMOS技术; SiGe; SOI器件; 仿真验证; 建模; 早期; 硅绝缘体; 硅锗异质结双极晶体管