Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application - 任堃 饶峰 宋志棠 吴良才 周夕淋 夏梦娇 刘波 封松林 席韡 姚栋宁 陈邦明 (Chinese physics letters, 2010)
Keywords: Ge2Sb2Te5; 低功耗; 复合材料; 存储材料; 溅射靶材; 相变存储器; 相变材料