Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2 after high temperature oxidation - 李妍月 邓小川 刘云峰 赵艳黎 李诚瞻 陈茜茜 张波 (半导体学报：英文版, 2015)
Keywords: SiC; SiO2; 一氧化氮; 电容-电压; 界面性能; 退火; 金属氧化物半导体; 高温氧化