Effect of re-oxidation annealing process on the SiO2/SiC interface characteristics - 闫宏丽 贾仁需 汤晓燕 宋庆文 张玉明 (半导体学报：英文版, 2014)
Keywords: X-射线光电子能谱; 再氧化; 工艺效果; 接口特性; 有效介电常数; 电荷密度; 界面陷阱密度; 退火工艺