Performance enhancement of pentacene-based organic field-effect transistor by inserting a WO3 buffer layer - 樊建锋 程晓曼 白潇 郑灵程 蒋晶 吴峰 (半导体学报：英文版, 2014)
Keywords: 三氧化钨; 器件性能; 场效应迁移率; 性能增强; 有机场效应晶体管; 缓冲层; 苯系; 过渡金属氧化物