Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGa1-xN/GaN quantum wells - 王建霞 杨少延 王俊 刘贵鹏 李志伟 李辉杰 金东东 刘祥林 朱勤生 王占国 (中国物理B：英文版, 2013)
Keywords: AlGaN; 二维电子气; 子带能量; 电子迁移率; 界面; 粗糙散射; 表面粗糙度; 量子阱