刘明, 雷. 刘. 高. 杨. 王. 龙. 马. (2014). Resistive switching characteristics of Ti/ZrO2/Pt RRAM device. 中国物理B：英文版, 11, 507-511. https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/11/117305
Chicago Style (17th ed.) Citation刘明, 雷晓艺 刘红侠 高海霞 杨哈妮 王国明 龙世兵 马晓华. "Resistive Switching Characteristics of Ti/ZrO2/Pt RRAM Device." 中国物理B：英文版 11 (2014): 507-511. https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/11/117305.
MLA (9th ed.) Citation刘明, 雷晓艺 刘红侠 高海霞 杨哈妮 王国明 龙世兵 马晓华. "Resistive Switching Characteristics of Ti/ZrO2/Pt RRAM Device." 中国物理B：英文版, 11, 2014, pp. 507-511, https://doi.org/10.1088/1674-1056/23/11/117305.
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