Výkonové tranzistory MOSFET

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Tihanyi, Jenö (Author), Stengl, Jens Peer (Author)
Format: Book
Language: Czech
Published: Praha : BEN - technická literatura, 1999
Edition: 1. české vyd.
Subjects:
ISBN: 8086056546
Physical Description: 191 s.

Cover

Table of contents

LEADER 01049cam a22003257a 4500
001 19228
003 CZ ZlUTB
005 20190825233824.0
008 990524s1999 xr |||||r|||||||||||cze|d
020 |a 8086056546 
040 |a ZLD002  |b cze  |c ZLD002  |d ZLD002 
072 7 |a 621.38  |x Elektronika  |2 Konspekt  |9 19 
080 |a 621.38  |2 v 
100 1 |a Tihanyi, Jenö  |7 vut2010606971  |4 aut 
245 1 0 |a Výkonové tranzistory MOSFET 
250 |a 1. české vyd. 
260 |a Praha :  |b BEN - technická literatura,  |c 1999 
300 |a 191 s. 
650 0 4 |a MOSFET 
650 0 4 |a SMART-FET 
650 0 7 |a diody  |7 ph338536  |2 czenas 
650 0 7 |a inteligentní materiály  |7 ph698667  |2 czenas 
650 0 7 |a tranzistory  |7 ph126722  |2 czenas 
650 0 4 |a výkonový 
655 7 |a příručky  |7 fd133209  |2 czenas 
700 1 |a Stengl, Jens Peer  |7 vut2010606970  |4 aut 
910 |a ZLD002 
992 |a BK 
999 |c 19228  |d 19228 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 6213  |7 0  |8 BOOK  |9 33031  |a UTBZL  |b UTBZL  |c 007  |d 2006-07-29  |i 68703  |o 621.3  |p 420010068703  |r 2019-08-25  |v 249.00  |w 2019-08-25  |x 20100630  |y 08